有源區(qū)Be摻雜對(duì)1.3μm InAs量子點(diǎn)激光器性能的影響

摘要： 利用分子束外延技術(shù)在GaAs(100)襯底上生長了1.3μm InAs DWELL量子點(diǎn)激光器結(jié)構(gòu)，研究了有源區(qū)Be摻雜對(duì)量子點(diǎn)激光器性能的影響。研究表明，對(duì)有源區(qū)進(jìn)行Be摻雜可以有效降低InAs量子點(diǎn)激光器的閾值電流密度，提升激光器的輸出功率，增加激光器的溫度穩(wěn)定性。研制的Be摻雜InAs量子點(diǎn)激光器的閾值電流降低到12mA，相應(yīng)的閾值電流密度僅為100 A/cm~2，激光器...