高工作溫度中波紅外碲鎘汞焦平面研究（英文）

摘要： 該文報(bào)道了昆明物理研究所高工作溫度中波紅外碲鎘汞焦平面探測(cè)器器件的研究情況。通過(guò)優(yōu)化焦平面器件結(jié)構(gòu)參數(shù)，采用As離子注入形成p-on-n平面結(jié)器件技術(shù)，在液相外延生長(zhǎng)的高質(zhì)量原位In摻雜的碲鎘汞薄膜上制備了陣列規(guī)格為640×512@15μm的中波紅外焦平面探測(cè)器。利用變溫杜瓦測(cè)試了焦平面芯片在不同工作溫度下的光譜響應(yīng)、器件暗電流、噪聲等效溫差、有效像元率以及盲元分布等，測(cè)試結(jié)果...