基于鋅擴散的InGaAs/InP平面型紅外探測器快速熱退火研究（英文）

摘要： 系統(tǒng)研究了快速熱退火對鋅擴散的In_(0.53)Ga_(0.47)As/InP PIN探測器的影響。利用電化學(xué)電容電壓和二次離子質(zhì)譜技術(shù)分析了退火前后Zn和凈受主的濃度分布，結(jié)果表明退火過程會影響雜質(zhì)濃度，但不影響擴散深度。制備了不同退火條件的In_(0.53)Ga_(0.47)As/InP PIN探測器。器件測試反映，未退火的探測器在260～300K具有更低的器件電容和更高的...