InAs/GaSbⅡ類(lèi)超晶格長(zhǎng)波紅外探測(cè)器研究進(jìn)展
紅外技術(shù)
頁(yè)數(shù): 9 2023-08-20
摘要: 本文系統(tǒng)報(bào)道了基于In As/Ga SbⅡ類(lèi)超晶格(T2SLs)的長(zhǎng)波紅外探測(cè)器的研究進(jìn)展。從襯底、材料生長(zhǎng)以及器件性能角度對(duì)比分析了基于Ga Sb、In As襯底的各種器件結(jié)構(gòu)的優(yōu)缺點(diǎn)。分析結(jié)果表明,以In As為襯底、吸收區(qū)材料為InAs/InAs_(1-x )Sb_x、PB
1IB
2N型的結(jié)構(gòu)為相對(duì)優(yōu)化的器件結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì),結(jié)合ZnS和Ge的多層膜結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)或者重?fù)诫s緩沖層,同...