基于動態(tài)柵極電阻的SiC MOSFET主動并聯(lián)均流方法

摘要： 隨著當今時代電力電子技術的發(fā)展，SiC MOSFET在高頻、高溫、高壓以及大電流等場合中得到廣泛應用，然而，由多管并聯(lián)所導致的不均流問題成為了當下SiC MOSFET模塊廣泛應用中的一大阻礙。針對這一問題，文中提出一種基于動態(tài)柵電阻的SiC MOSFET模塊并聯(lián)均流方法，其主要原理是通過利用SiC MOSFET開關瞬間漏極電流在源極寄生電感上感應出的電壓來檢測電流，并通過動態(tài)調(diào)...