硅終端金剛石半導(dǎo)體與場(chǎng)效應(yīng)管器件研究進(jìn)展

摘要： 金剛石作為超寬禁帶半導(dǎo)體材料的代表，逐漸成為大家關(guān)注的熱點(diǎn)。盡管在材料制備、器件研制與性能方面取得了一定進(jìn)展，但其半導(dǎo)體摻雜技術(shù)至今沒有很好解決。氫終端金剛石由于具有典型的二維空穴氣而被廣泛應(yīng)用于微波功率器件的研究，但其存在穩(wěn)定性不佳、界面態(tài)濃度較高等問題。相比而言，近年來出現(xiàn)的硅終端(C—Si)金剛石具有比氫終端(C—H)金剛石更低的界面態(tài)密度、更高的閾值電壓、載流子密度和穩(wěn)...