高壓二極管阻斷I-V特性研究

摘要： 針對(duì)高壓二極管在終端工藝中出現(xiàn)的3種阻斷I-V特性進(jìn)行了相關(guān)測(cè)試分析，通過(guò)TCAD模擬仿真，結(jié)合器件內(nèi)部電場(chǎng)和漏電流分布，理論研究了3種不同終端負(fù)斜角角度對(duì)其阻斷I-V特性的影響，闡述了導(dǎo)致器件擊穿電壓降低和軟擊穿的本質(zhì)機(jī)理。研究結(jié)果表明，當(dāng)終端負(fù)斜角θ<1°時(shí)，器件獲得了低電壓的硬擊穿特性；當(dāng)1°≤θ<3°時(shí)，器件可獲得最佳阻斷電壓的硬擊穿特性。導(dǎo)致硬擊穿的本質(zhì)原因是峰值電場(chǎng)...