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低壓硅基GaN射頻器件

固體電子學(xué)研究與進(jìn)展 頁數(shù)： 1 2023-08-25
摘要： <正>基于硅基GaN的射頻器件具有高功率、高效率、寬帶工作以及低成本、批量化生產(chǎn)的優(yōu)勢,有望應(yīng)用于5G移動終端等重要場景,具有巨大市場潛力。南京電子器件研究所發(fā)展了低損耗低方阻硅基GaN射頻材料,開發(fā)了低阻歐姆接觸技術(shù),接觸電阻(R_C)僅有0.073Ω·mm(如圖1所示),掌握了0.15μm和0.25μm低壓器件設(shè)計(jì)與制備工藝。由于高飽和電流密度(～1.4 A/mm)和低開態(tài)...

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