增強(qiáng)型AlGaN/GaN HEMT器件中子位移損傷效應(yīng)研究
固體電子學(xué)研究與進(jìn)展
頁數(shù): 8 2023-08-25
摘要: 采用能量為14 MeV的中子對(duì)增強(qiáng)型AlGaN/GaN高電子遷移率晶體管器件進(jìn)行了最高注量為3×10
14 n/cm~2的位移損傷輻照實(shí)驗(yàn)。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明:當(dāng)中子注量不大于3×10
14 n/cm~2時(shí),器件轉(zhuǎn)移特性曲線向左發(fā)生不同程度漂移,曲線斜率增大,閾值電壓輕微變化,柵特性不受輻照注量影響,而跨導(dǎo)峰值和關(guān)態(tài)泄露電流有所改善。此外,不同注量的中子輻照后,器件的飽和漏極...