X波段GaN千瓦級功率放大器的設(shè)計(jì)
固體電子學(xué)研究與進(jìn)展
頁數(shù)： 6 2023-08-25
摘要： 為滿足新型雷達(dá)對千瓦級大功率放大器的需求，采用0.25μm GaN HEMT工藝研制了一款輸出功率大于2 000 W的X波段內(nèi)匹配功率放大器。通過背勢壘層結(jié)構(gòu)與雙場板結(jié)構(gòu)提高器件擊穿電壓，使GaN HEMT管芯的工作電壓達(dá)到60 V。通過負(fù)載牽引得到管芯最優(yōu)阻抗，采用T型匹配網(wǎng)絡(luò)和功率分配/合成器將管芯阻抗匹配到50Ω。在工作電壓60 V、占空比1‰、脈寬5μs測試條件下，9....
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