Si/SiC混合并聯(lián)功率器件開(kāi)關(guān)模式優(yōu)化及特性分析
固體電子學(xué)研究與進(jìn)展
頁(yè)數(shù): 7 2023-08-25
摘要: 在對(duì)比SiC MOSFET和Si IGBT器件開(kāi)關(guān)特性的基礎(chǔ)上,提出了一種SiC MOSFET和Si IGBT混合并聯(lián)器件的優(yōu)化開(kāi)關(guān)模式,并結(jié)合系統(tǒng)穩(wěn)態(tài)模型,分析了其非理想開(kāi)關(guān)過(guò)程特性。利用雙脈沖測(cè)試,對(duì)不同開(kāi)通/延遲時(shí)間下的混合并聯(lián)器件開(kāi)關(guān)特性展開(kāi)了實(shí)驗(yàn)。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,所提開(kāi)關(guān)模式能夠同步實(shí)現(xiàn)SiC MOSFET擴(kuò)容并降低Si IGBT的開(kāi)關(guān)損耗。該研究成果可對(duì)拓展兩種開(kāi)關(guān)器...