0.3~3.0GHz超寬帶高精度數(shù)控移相器的設(shè)計(jì)
固體電子學(xué)研究與進(jìn)展
頁(yè)數(shù): 5 2023-08-25
摘要: 基于0.15μm GaAs贗高電子遷移率晶體管(pHEMT)工藝,研制了一款應(yīng)用于相控陣系統(tǒng)的集成數(shù)字驅(qū)動(dòng)器的0.3~3.0 GHz高精度6 bit數(shù)控移相器芯片,通過(guò)級(jí)聯(lián)6個(gè)不同移相單元可實(shí)現(xiàn)最小步進(jìn)為5.625°的0°~360°移相范圍。5.625°、11.25°、22.5°移相單元采用開關(guān)切換單階磁耦合全通網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu),45°移相單元采用開關(guān)切換電容補(bǔ)償單階磁耦合全通網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)...