橫向增強(qiáng)型雙側(cè)柵結(jié)構(gòu)GaN JFET優(yōu)化設(shè)計(jì)

摘要： 提出了一種新型橫向雙側(cè)柵結(jié)構(gòu)的GaN JFET，并通過SILVACO軟件對器件的溝道寬度、溝道電子濃度和p-GaN空穴濃度進(jìn)行了優(yōu)化，得到了閾值電壓和輸出電流與器件參數(shù)之間的變化規(guī)律，通過參數(shù)優(yōu)化得到了增強(qiáng)型GaN JFET的結(jié)構(gòu)參數(shù)條件。隨后對設(shè)計(jì)的橫向雙側(cè)柵結(jié)構(gòu)增強(qiáng)型GaN JFET器件進(jìn)行了擊穿特性研究，發(fā)現(xiàn)當(dāng)溝道長度短至0.5μm時，會出現(xiàn)嚴(yán)重的短溝道效應(yīng)；當(dāng)溝道長度大...