UTBB SOI MOSFETs短溝道效應(yīng)抑制技術(shù)

摘要： 隨著柵極長度、硅膜厚度以及埋氧層厚度的減小，MOS器件短溝道效應(yīng)變得越來越嚴(yán)峻。本文首先給出了決定全耗盡絕緣體上硅短溝道效應(yīng)的三種機(jī)制；然后從接地層、埋層工程、溝道工程、源漏工程、側(cè)墻工程和柵工程等六種工程技術(shù)方面討論了為抑制短溝道效應(yīng)而引入的不同UTBB SOI MOSFETs結(jié)構(gòu)，分析了這些結(jié)構(gòu)能夠有效抑制短溝道效應(yīng)（如漏致勢壘降低、亞閾值擺幅、關(guān)態(tài)泄露電流、開態(tài)電流等）的...