彈簧式壓接IGBT模塊內(nèi)部應(yīng)力及溫度仿真分析
固體電子學(xué)研究與進(jìn)展
頁數(shù): 6 2023-10-25
摘要: 功率半導(dǎo)體器件的壽命與其內(nèi)部的熱力情況直接相關(guān),而接觸熱阻嚴(yán)重影響壓接式IGBT模塊內(nèi)部的溫度分布,因此對于接觸熱阻的精確模擬尤其重要。本文對彈簧式壓接IGBT進(jìn)行了有限元仿真建模,基于蒙特卡洛方法來模擬接觸熱阻,詳細(xì)分析了IGBT芯片表面溫度和力的分布,提出了施加在單個(gè)芯片上的適當(dāng)壓力。對比了子模組中不同芯片表面的溫度和應(yīng)力大小,分析了多芯片子模組中極易首先發(fā)生失效的芯片。本...