高耐壓氧化鎵射頻場(chǎng)效應(yīng)晶體管

摘要： <正>超寬禁帶氧化鎵是發(fā)展新型大功率電力電子和射頻器件的新一代先進(jìn)戰(zhàn)略性電子材料。近年來,得益于單晶襯底制備及n型摻雜技術(shù)的進(jìn)步,氧化鎵在電力電子器件領(lǐng)域取得了突破性的進(jìn)展,然而氧化鎵體摻雜溝道較厚,亞微米以下柵長(zhǎng)器件短溝道效應(yīng)嚴(yán)重,頻率性能受限。南京電子器件研究所聯(lián)合南京大學(xué)、上海微系統(tǒng)所、天津電子材料研究所,突破了氧化鎵上低能離子注入溝道技術(shù),實(shí)現(xiàn)了高濃度的類二維電子氣超薄...