高精度可變?cè)鲆娣糯笃鞯难芯颗c設(shè)計(jì)

摘要： 為了實(shí)現(xiàn)可變?cè)鲆娣糯笃鞲呔燃按髣?dòng)態(tài)范圍的優(yōu)勢(shì)，基于GaAs 0.25μm pHEMT工藝，設(shè)計(jì)了一款工作在0.1～4.0 GHz并行控制的可變?cè)鲆娣糯笃鳌７糯笃饔蓴?shù)控衰減器和射頻放大器組成。數(shù)控衰減單元采用橋T型結(jié)構(gòu)和電平轉(zhuǎn)換電路來(lái)實(shí)現(xiàn)；正壓控制衰減電路簡(jiǎn)化了電路結(jié)構(gòu)，提高電路可靠性；改進(jìn)型并聯(lián)電容補(bǔ)償衰減結(jié)構(gòu)改善大衰減態(tài)高頻衰減精度；射頻放大器電路采用并聯(lián)電阻負(fù)反饋的共源共...