基于憶阻器的1T1M可重構(gòu)陣列結(jié)構(gòu)
電子與信息學(xué)報(bào)
頁(yè)數(shù): 10 2022-11-08
摘要: 憶阻器(Memristor)或者阻變存儲(chǔ)器(ReRAM)是一種具有存儲(chǔ)和計(jì)算功能的新型非易失性存儲(chǔ)器(NVM),可以用作存算一體(PIM)的非馮·諾依曼計(jì)算機(jī)體系架構(gòu)的基礎(chǔ)器件。針對(duì)可重構(gòu)陣列處理器數(shù)據(jù)計(jì)算速度和存儲(chǔ)速度不匹配的問題,該文采用電壓閾值自適應(yīng)憶阻器(VTEAM)模型,經(jīng)過凌力爾特通用模擬電路仿真器(LTSPICE)仿真驗(yàn)證,可以實(shí)現(xiàn)布爾邏輯完備集。在此基礎(chǔ)上,設(shè)計(jì)...