ZnO NW柵極GaN HEMT紫外光探測性能

摘要： 本文實驗采用水熱生長法，成功制備了以ZnO納米線為光感應柵極的高電子遷移率晶體管HEMT(High Electron Mobility Transistor)器件.對HEMT進行源漏（S/D）下刻蝕，刻蝕深度為120/150 nm，探究不同S/D刻蝕深度對器件性能的影響.同時，利用磁控濺射法在柵電極沉積ZnO晶籽層，在80℃溫度下控制水熱生長時間分別為6/8/10 h，探究不同...