GABP算法構(gòu)建高精度CMOS電壓自舉采樣開(kāi)關(guān)性能預(yù)測(cè)模型

摘要： 模擬集成電路中器件的設(shè)計(jì)參數(shù)與性能指標(biāo)具有非線性映射關(guān)系，同時(shí)繁復(fù)的設(shè)計(jì)參數(shù)相互制約，使模擬IC滿足應(yīng)用約束下的折中設(shè)計(jì)極為復(fù)雜，電路研發(fā)耗時(shí)費(fèi)力?；谧赃m應(yīng)學(xué)習(xí)的神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)算法能夠建立具有非線性映射關(guān)系的預(yù)測(cè)模型，同時(shí)具有寬解空間和易獲取全局最優(yōu)解的遺傳算法可進(jìn)一步彌補(bǔ)建模和求解的精度。采用BP神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)結(jié)合遺傳算法(GABP)的復(fù)合優(yōu)化框架對(duì)CMOS電壓自舉采樣開(kāi)關(guān)的設(shè)計(jì)參數(shù)和...