阱接觸對(duì)28 nm SRAM單粒子多位翻轉(zhuǎn)的影響

摘要： 為研究納米尺度下,特征尺寸減小和阱接觸布放方式對(duì)單粒子效應(yīng)電荷收集機(jī)制的影響,在北京HI-13串列加速器上開展了國產(chǎn)28 nm靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(SRAM)重離子單粒子效應(yīng)輻照實(shí)驗(yàn)研究,獲得了不同線性能量轉(zhuǎn)移(LET)值重離子垂直入射下的器件重離子單粒子位翻轉(zhuǎn)截面、多位翻轉(zhuǎn)百分比和多位翻轉(zhuǎn)拓?fù)鋱D形,并與65 nm SRAM實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)進(jìn)行比對(duì),分析了28 nm SRAM重離子單粒子多位...