Al₂O₃/HfO₂薄膜多值阻變存儲特性

摘要： 采用磁控濺射和金屬剝離工藝制備結(jié)構(gòu)為P-Si/HfO₂/Ti和P-Si/HfO₂/Al₂O₃/Ti的阻變存儲器，兩器件均表現(xiàn)出雙極性電阻轉(zhuǎn)變特性.插入的Al₂O₃層使得高阻態(tài)導(dǎo)電機制從空間電荷限制電流導(dǎo)電向肖特基發(fā)射控制導(dǎo)電轉(zhuǎn)變，器件高低阻態(tài)阻值比從約61倍提高到約2.15×10~8倍.通過限制set電流的方式實現(xiàn)多值存儲，器件的4個阻態(tài)都能夠非常穩(wěn)定地在85℃高溫...