一種基于斯坦福RRAM模型的參數(shù)提取方法

摘要： 阻變隨機(jī)存取存儲器(RRAM)是一種新型非易失性存儲器件，比主流的閃存(Flash)器件具有更快的讀/寫速度、更低的編程電壓和功耗。
然而由于工藝不成熟等因素，RRAM準(zhǔn)確的器件模型需要在已有的斯坦福物理模型基礎(chǔ)上，對多達(dá)6個曲線擬合參數(shù)反復(fù)進(jìn)行調(diào)整，具有一定的建模難度。
提出了一種簡并參數(shù)的建模方法，通過器件實(shí)測數(shù)據(jù)計(jì)算出其中4個曲線擬合參數(shù)I_0、g_0、γ_0、β。