當(dāng)前位置:首頁 > 實用文檔 > 計算機(jī)硬件技術(shù) > 正文

基于故障注入的NOR Flash單粒子效應(yīng)模擬方法研究

電子測量技術(shù) 頁數(shù): 6 2022-06-01
摘要: 針對目前大容量NOR Flash存儲器單粒子效應(yīng)模擬缺乏具體操作方法的問題,本文提出NOR Flash單粒子翻轉(zhuǎn)、單粒子功能中斷、單粒子閉鎖3種單粒子效應(yīng)對應(yīng)軟件故障注入方法,設(shè)計適用于大容量器件的板級測試系統(tǒng)并進(jìn)行功能驗證,通過故障注入方法開展單粒子效應(yīng)模擬實驗。
NOR Flash存儲器單粒子效應(yīng)測試系統(tǒng)包括FPGA控制邏輯、Flash檢測板和上位機(jī)軟件三部分。

開通會員,享受整站包年服務(wù)立即開通 >