源端射頻干擾下SRAM的抗擾性分析

摘要： 目前已有一些在ESD和電磁干擾下存儲(chǔ)器行為的表征研究，但對(duì)靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(SRAM)的連續(xù)波抗擾度的頻率響應(yīng)特性的研究很少。
文章研究了SRAM在射頻電磁干擾下的失效行為與機(jī)理。
對(duì)SRAM芯片進(jìn)行射頻干擾測(cè)試發(fā)現(xiàn)，SRAM失效行為與其工作模式相關(guān)。
使用Hspice進(jìn)行晶體管級(jí)仿真。
結(jié)果表明，SRAM處于數(shù)據(jù)保持時(shí)，抗擾能力很強(qiáng)，處于讀寫(xiě)模式時(shí)，抗擾能力較弱。