Flash存儲(chǔ)器浮柵單元的總劑量效應(yīng)統(tǒng)計(jì)性分析
微電子學(xué)
頁(yè)數(shù): 7 2022-02-20
摘要: 針對(duì)核設(shè)施機(jī)電設(shè)備中控制系統(tǒng)存儲(chǔ)單元耐輻射可靠性評(píng)價(jià)的需要,以國(guó)產(chǎn)NOR型Flash存儲(chǔ)器為研究對(duì)象,對(duì)器件存儲(chǔ)陣列浮柵單元的總劑量損傷閾值開展了實(shí)驗(yàn)研究。
綜合利用SMOTE算法和Bootstrap法建立了一種基于極小子樣的器件耐輻照可靠性評(píng)價(jià)方法,對(duì)被測(cè)樣品校驗(yàn)失效劑量進(jìn)行了統(tǒng)計(jì)分析。