STT-MRAM存儲器抗磁場干擾能力研究

摘要： 自旋轉移力矩磁隨機存儲器(STT-MRAM)作為一種新型非易失存儲器，具有低功耗、讀寫速度快及與傳統(tǒng)CMOS工藝兼容等特點，可作為Flash和靜態(tài)隨機存取存儲器(SRAM)的理想替代品。
STT-MRAM存儲器的存儲單元結構為磁性隧道結(MTJ),該結構由磁性材料組成，其單元特性參數(shù)易受外部磁場的干擾，因此，需要對STT-MRAM存儲器的抗磁場干擾能力進行評估。