多次可編程非易失性存儲(chǔ)器的數(shù)據(jù)保持能力測(cè)試及其激活能分析
半導(dǎo)體技術(shù)
頁(yè)數(shù)： 5 2021-12-12
摘要： 基于180 nm BCD工藝平臺(tái)設(shè)計(jì)開發(fā)了32 Kibit的多次可編程(MTP)非易失性存儲(chǔ)器(NVM)。
詳細(xì)描述了存儲(chǔ)單元的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)特點(diǎn)、操作機(jī)理及影響非易失性的關(guān)鍵因素。
測(cè)試并量化了其在高溫條件下的數(shù)據(jù)保持能力,并根據(jù)Arrhenius模型設(shè)計(jì)了高溫老化試驗(yàn),進(jìn)而計(jì)算其浮柵上電荷泄漏的激活能。
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