非易失性靜態(tài)隨機存儲器研究進展

摘要： 在非易失性存儲器領(lǐng)域,非易失性靜態(tài)隨機存儲器(NVSRAM)可以克服現(xiàn)有非易失性存儲器的缺點與限制,并完全替代靜態(tài)隨機存儲器(SRAM)。
首先,對幾種新型非易失性存儲器進行了簡單闡述;其次介紹了NVSRAM的基本工作原理和特點,針對NVSRAM在解決傳統(tǒng)SRAM掉電數(shù)據(jù)儲存問題、加快讀取速度以及減少功耗等方面的優(yōu)勢進行闡述。