基于物理的體硅CMOS存儲(chǔ)器多位翻轉(zhuǎn)特性電路級(jí)仿真分析(英文)
原子能科學(xué)技術(shù)
頁數(shù): 7 2021-10-12
摘要: 本文提出了一種電路級(jí)仿真方法,對(duì)體硅CMOS存儲(chǔ)器中由單粒子效應(yīng)引發(fā)的多位翻轉(zhuǎn)特性進(jìn)行了建模分析。
該方法綜合考慮了擴(kuò)散效應(yīng)及寄生雙極放大效應(yīng)引發(fā)的電荷共享收集機(jī)制,能基于版圖特征重構(gòu)多節(jié)點(diǎn)電荷收集的電流源,實(shí)現(xiàn)對(duì)單粒子效應(yīng)位翻轉(zhuǎn)截面的預(yù)估計(jì)算。