NAND閃存錯誤緩解技術(shù)綜述
微電子學(xué)
頁數(shù): 8 2021-06-20
摘要: NAND閃存以其高存儲密度、高速、低功耗等優(yōu)點被廣泛應(yīng)用于數(shù)據(jù)存儲。
三維堆疊閃存技術(shù)的出現(xiàn)和多值存儲技術(shù)的發(fā)展進(jìn)一步提高了密度,降低了存儲成本,同時也帶來了更加嚴(yán)重的可靠性問題。
閃存主控廠商一直采用更強(qiáng)大的糾錯碼(ECC),如BCH和LDPC碼來對閃存中的數(shù)據(jù)錯誤進(jìn)行糾正。