以雙字線雙閾值4T SRAM為基礎(chǔ)的存內(nèi)計(jì)算設(shè)計(jì)

摘要： 為了應(yīng)對(duì)馮·諾依曼計(jì)算架構(gòu)的存儲(chǔ)墻,存內(nèi)計(jì)算(CIM)架構(gòu)將邏輯嵌入到存儲(chǔ)器中,在讀取數(shù)據(jù)的同時(shí)完成運(yùn)算,使存儲(chǔ)單元具備計(jì)算能力并且減少了處理器和存儲(chǔ)器之間的數(shù)據(jù)傳輸。
為實(shí)現(xiàn)大容量、低成本存儲(chǔ)器設(shè)計(jì),提出了一種以雙字線雙閾值4T SRAM為基礎(chǔ)的存儲(chǔ)系統(tǒng),不僅可實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)與讀取,而且還可實(shí)現(xiàn)BCAM運(yùn)算和與、或非、異或等邏輯運(yùn)算。