雜散電感

影響：

　　IGBT技術(shù)不能落后于應(yīng)用要求。因此，英飛凌推出了最新一代的IGBT芯片以滿足具體應(yīng)用的需求。與逆變器設(shè)計(jì)應(yīng)用功率或各自額定電流水平相關(guān)的開關(guān)速度和軟度要求是推動(dòng)這些不同型號(hào)器件優(yōu)化的主要?jiǎng)恿Α＿@些型號(hào)包括具備快速開關(guān)特性的T4芯片、具備軟開關(guān)特性的P4芯片和開關(guān)速度介于T4和P4之間的E4芯片。

對(duì)高效IGBT逆變器設(shè)計(jì)的影響：

　　隨著雜散電感的增大，IGBT的開通損耗會(huì)降低，二極管損耗則會(huì)增大。雜散電感還可能導(dǎo)致振蕩，比如由電流突變引起的振蕩，這可能導(dǎo)致由于EMI或過壓限制而引起的器件使用受限。