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TVS二極管

  • TVS二極管
TVS二極管是普遍使用的一種新型高效電路保護器件,它具有極快的響應時間(亞納秒級)和相當高的浪涌吸收能力。當它的兩端經(jīng)受瞬間的高能量沖擊時,TVS能以極高的速度把兩端間的阻抗值由高阻抗變?yōu)榈妥杩?,以吸收一個瞬間大電流,從而把它的兩端電壓箝制在一個預定的數(shù)值上,從而保護后面的電路元件不受瞬態(tài)高壓尖峰脈沖的沖擊。

簡介

  TVS二極管與常見的穩(wěn)壓二極管的工作原理相似,如果高于標志上的擊穿電壓,TVS二極管就會導通,與穩(wěn)壓二極管相比,TVS二極管有更高的電流導通能力。TVS二極管的兩極受到反向瞬態(tài)高能量沖擊時,以10^-12S 量級速度,將其兩極間的高阻抗變?yōu)榈妥杩梗瑫r吸收高達數(shù)千瓦的浪涌功率。使兩極間的電壓箝位于一個安全值,有效地保護電子線路中的精密元器件免受浪涌脈沖的破壞。

TVS器件的特點

  一、 TVS器件的工作原理

  瞬態(tài)(瞬變)電壓抑制二極管簡稱TVS器件,在規(guī)定的反向應用條件下,當承受一個高能量的瞬時過壓脈沖時,其工作阻抗能立即降至很低的導通值,允許大電流通過,并將電壓箝制到預定水平,從而有效地保護電子線路中的精密元器件免受損壞。

  TVS能承受的瞬時脈沖功率可達上千瓦,其箝位響應時間僅為1ps(10^-12S)。

  TVS允許的正向浪涌電流在T =25℃,T=10ms條件下,可達50~200A 。

  雙向TVS可在正反兩個方向吸收瞬時大脈沖功率,并把電壓箝制到預定水平,雙向TVS適用于交流電路,單向TVS一般用于直流電路。

  TVS器件的電特性

  1、單向TVS的V-I特性,單向TVS的正向特性與普通穩(wěn)壓二極管相同,反向擊穿拐點近似“直角”為硬擊穿,為典型的PN結(jié)雪崩器件。從擊穿點到Vc值所對應的曲線段表明,當有瞬時過壓脈沖時,器件的電流急驟增加而反向電壓則上升到箝位電壓值,并保持在這一水平上。

  2.雙向TVS的V-I特性,雙向TVS的V-I特性曲線如同兩只單向TVS“背靠背”組合,其正反兩個方向都具有相同的雪崩擊穿特性和箝位特性,正反兩面擊穿電壓的對稱關(guān)系為:0.9≤V(BR)(正) /V(BR)(反) ≤1.1,一旦加在它兩端的干擾電壓超過箝位電壓Vc就會立刻被抑制掉,雙向TVS在交流回路應用十分方便。

  TVS器件的主要電參數(shù)

  1. 擊穿電壓V(BR) 器件在發(fā)生擊穿的區(qū)域內(nèi),在規(guī)定的試驗電流I(BR) 下,測得器件兩端的電壓稱為擊穿電壓,在此區(qū)域內(nèi),二極管成為低阻抗的通路。

  2. 最大反向脈沖峰值電流IPP

  在反向工作時,在規(guī)定的脈沖條件下,器件允許通過的最大脈沖峰值電流。IPP與最大箝位電壓Vc(MAX) 的乘積,就是瞬態(tài)脈沖功率的最大值。 使用時應正確選取TVS,使額定瞬態(tài)脈沖功率PPR大于被保護器件或線路可能出現(xiàn)的最大瞬態(tài)浪涌功率。 當瞬時脈沖峰值電流出現(xiàn)時,TVS被擊穿,并由擊穿電壓值上升至最大箝位電壓值,隨著脈沖電流呈指數(shù)下降,箝位電壓亦下降,恢復到原來狀態(tài)。因此,TVS能抑制可能出現(xiàn)的脈沖功率的沖擊,從而有效地保護電子線路。

  峰值電流波形

  A.正弦半波

  B.矩形波

  C.標準波(指數(shù)波形)

  D.三角波

  TVS峰值電流的試驗波形采用標準波(指數(shù)波形),由TR/TP決定。

  峰值電流上升時間TR:電流從10%IPP開始達到90%IPP的時間。

  半峰值電流時間TP:電流從零開始通過最大峰值后,下降到0.5IPP值的時間。

  下面列出典型試驗波形的TR/TP值:

  A.EMP波:10ns /1000ns

  B.閃電波:8μs /20μs

  C.標準波:10μs /1000μs

  3. 最大反向工作電壓VRWM(或變位電壓)器件反向工作時,在規(guī)定的IR下,器件兩端的電壓值稱為最大反向工作電壓VRWM。通常VRWM =(0.8~0.9)V (BR) 。

  在這個電壓下,器件的功率消耗很小。使用時,應使VRWM 不低于被保護器件或線路的正常工作電壓。

  4.最大箝位電壓Vc(max ) 在脈沖峰值電流Ipp 作用下器件兩端的最大電壓值稱為最大箝位電壓。

  使用時,應使Vc(max )不高于被保護器件的最大允許安全電壓

  最大箝位電壓與擊穿電壓之比稱為箝為系數(shù)。

  即:箝位系數(shù)=Vc(max )/V(BR) 一般箝位系數(shù)為1.3左右。 最大箝位電壓VC(max )的測試方法見4.4。

  5.反向脈沖峰值功率PPR TVS的PPR取決于脈沖峰值電流IPP和最大箝位電壓Vc(max ),除此以外,還和脈沖波形、脈沖時間及環(huán)境溫度有關(guān)。

  當脈沖時間Tp一定時,PPR =K1...·K2 ·Vc(max ) ·Ipp 式中K1為功率系數(shù),K2為功率的溫度系數(shù)。

  典型的脈沖持續(xù)時間tp為1MS,當施加到瞬態(tài)電壓抑制二極管上的脈沖時間tp 比標準脈沖時間短時,其脈沖峰值功率將隨tp的縮短而增加。TVS的反向脈沖峰值功率PPR與經(jīng)受浪涌的脈沖波形有關(guān),用功率系數(shù)K1表示,各種浪涌波形的K1值如表1所示。

  E=∫i(t).V(t)dt

  式中:

  i(t)為脈沖電流波形,

  V(t)為箝位電壓波形。

  這個額定能量值在極短的時間內(nèi)對TVS是不可重復施加的。但是,在實際的應用中,浪涌通常是重復地出現(xiàn),在這種情況下,即使單個的脈沖能量比TVS器件可承受的脈沖能量要小得多,但若重復施加,這些單個的脈沖能量積累起來,在某些情況下,也會超過TVS器件可承受的脈沖能量。因此,電路設(shè)計必須在這點上認真考慮和選用TVS器件,使其在規(guī)定的間隔時間內(nèi),重復施加脈沖能量的累積不至超過TVS器件的脈沖能量額定值。

  6.電容CPP TVS的電容由硅片的面積和偏置電壓來決定,電容在零偏情況下,隨偏置電壓的增加,該電容值呈下降趨勢。電容的大小會影響TVS器件的響應時間。

  7.漏電流IR 當最大反向工作電壓施加到TVS上時,TVS管有一個漏電流IR,當TVS用于高阻抗電路時,這個漏電流是一個重要的參數(shù)。

  8.TVS器件分類:

  按極性可分為:單極性和雙極性兩種;

  按用途可分為:通用型和專用型;

  按封裝和內(nèi)部結(jié)構(gòu)可分為:軸向引線二極管、雙列直插TVS陣列、貼片式和大功率模塊等。

  軸向引線的產(chǎn)品峰值功率可達400W、500W、600W、1500W和5000W。

  其中大功率的產(chǎn)品主要用在電源饋線上,低功率產(chǎn)品主要用在高密度安裝場合。對于高密度安裝的場合,也可以選擇雙列直插和表面貼裝等封裝形式。

  TVS器件的選用

  在選用TVS時,應考慮以下幾個主要因素:

  (1)若TVS有可能承受來自兩個方向的尖峰脈沖電壓(浪涌電壓)沖擊時,應當選用雙極性的,否則可選用單極性。

  (2)所選用TVS的Vc值應低于被保護元件的最高電壓。Vc是二極管在截止狀態(tài)的電壓,也就是在ESD沖擊狀態(tài)時通過TVS的電壓,它不能大于被保護回路的可承受極限電壓,否則器件面臨被損壞的危險。

  (3)TVS在正常工作狀態(tài)下不要處于擊穿狀態(tài),最好處于VR以下,應綜合考慮VR和VC兩方面的要求來選擇適當?shù)腡VS。

  穩(wěn)壓管

  (4)如果知道比較準確的浪涌電流IPP,則可利用VCIpp來確定功率;如果無法確定IPP的大致范圍,則選用功率大些的TVS為好。PM是TVS能承受的最大峰值脈沖功率耗散值。在給定的最大箝位電壓下,功耗PM越大,其浪涌電流的承受能力越大;在給定的功耗PM下,箝位電壓VC越低,其浪涌電流的承受能力越大。另外,峰值脈沖功耗還與脈沖波形、持續(xù)時間和環(huán)境溫度有關(guān)。

   (5)TVS所能承受的瞬態(tài)脈沖是不重復的,器件規(guī)定的脈沖重復頻率(持續(xù)時間與間歇時間之比)為0.01%。如果電路內(nèi)出現(xiàn)重復性脈沖,應考慮脈沖功率的累積,不然有可能損壞TVS。

  (6)對于小電流負載的保護,可有意識地在線路中增加限流電阻,只要限流電阻的阻值適當,一般不會影響線路的正常工作,但限流電阻對干擾所產(chǎn)生的電流卻會大大減小。但這樣可能選用峰值功率較小的TVS管來對小電流負載線路進行保護。

  (7)電容量C是由TVS雪崩結(jié)截面決定的,這是在特定的1 MHz頻率下測得的。C的大小與TVS的電流承受能力成正比,C太大將使信號衰減。因此,C是數(shù)據(jù)接口電路選用TVS的重要參數(shù)。對于數(shù)據(jù)/信號頻率越高的回路,二極管的電容對電路的干擾越大,形成噪聲或衰減信號強度也大,因此,需要根據(jù)回路的特性來決定所選器件的電容范圍。高頻回路一般選擇電容應盡量小(如LCTVS、低電容TVS,電容不大于3 pF),而對電容要求不高的回路,電容的容量選擇可高于40pF。

  (8)為了滿足IEC61000-4-2國際標準,TVS二極管必須達到可以處理最小8 KV(MB,接觸)和15 kV(BM,空氣)的ESD沖擊,有的半導體生產(chǎn)廠商在自己的產(chǎn)品上使用了更高的抗沖擊標準。而對于某些有特殊要求的便攜設(shè)備應用,設(shè)計者可以按需要挑選器件。


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