FinFET

　　發(fā)明人

　　該項(xiàng)技術(shù)的發(fā)明人是加州大學(xué)伯克利分校的胡正明（Chenming Hu）教授。胡正明教授1968年在臺(tái)灣國(guó)立大學(xué)獲電子工程學(xué)士學(xué)位，1970年和1973年在伯克利大學(xué)獲得電子工程與計(jì)算機(jī)科學(xué)碩士和博士學(xué)位。現(xiàn)為美國(guó)工程院院士。2000年憑借FinFET獲得美國(guó)國(guó)防部高級(jí)研究項(xiàng)目局最杰出技術(shù)成就獎(jiǎng)（DARPA Most Outstanding Technical Accomplishment Award）。他研究的BSIM模型已成為晶體管模型的唯一國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)，培養(yǎng)了100多名學(xué)生，許多學(xué)生已經(jīng)成為這個(gè)領(lǐng)域的大牛，曾獲Berkeley的最高教學(xué)獎(jiǎng)；于2001~2004年擔(dān)任臺(tái)積電的CTO。

英特爾公布的FinFET的電子顯微鏡照片

　　工作原理

　　閘長(zhǎng)已可小于25納米，未來預(yù)期可以進(jìn)一步縮小至9納米，約是人類頭發(fā)寬度的1萬分之1。由于此一半導(dǎo)體技術(shù)上的突破，未來芯片設(shè)計(jì)人員可望能夠?qū)⒊?jí)計(jì)算機(jī)設(shè)計(jì)成只有指甲般大小。 FinFET源自于目前傳統(tǒng)標(biāo)準(zhǔn)的晶體管—場(chǎng)效晶體管 (Field-Effect Transistor；FET)的一項(xiàng)創(chuàng)新設(shè)計(jì)。在傳統(tǒng)晶體管結(jié)構(gòu)中，控制電流通過的閘門，只能在閘門的一側(cè)控制電路的接通與斷開，屬于平面的架構(gòu)。在FinFET的架構(gòu)中，閘門成類似魚鰭的叉狀3D架構(gòu)，可于電路的兩側(cè)控制電路的接通與斷開。這種設(shè)計(jì)可以大幅改善電路控制并減少漏電流(leakage)，也可以大幅縮短晶體管的閘長(zhǎng)。

　　發(fā)展?fàn)顟B(tài)

　　在2011年初，英特爾公司推出了商業(yè)化的FinFET，使用在其22納米節(jié)點(diǎn)的工藝上。從Intel Core i7-3770之后的22納米的處理器均使用了FinFET技術(shù)。由于FinFET具有功耗低，面積小的優(yōu)點(diǎn)，臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司（TSMC）等主要半導(dǎo)體代工已經(jīng)開始計(jì)劃推出自己的FinFET晶體管，為未來的移動(dòng)處理器等提供更快，更省電的處理器。從2012年起，F(xiàn)inFET已經(jīng)開始向20納米節(jié)點(diǎn)和14納米節(jié)點(diǎn)推進(jìn)。