準單晶

準單晶的概念

準單晶（Mono Like ）是基于多晶鑄錠的工藝，在長晶時通過部分使用單晶籽晶，獲得外觀和電性能均類似單晶的多晶片。這種通過鑄錠的方式形成單晶硅的技術(shù)，其功耗只比普通多晶硅多5%，所生產(chǎn)的單晶硅的質(zhì)量接近直拉單晶硅。簡單地說，這種技術(shù)就是用多晶硅的成本，生產(chǎn)單晶硅的技術(shù)。

準單晶的生產(chǎn)工藝

準單晶主要有兩種鑄錠技術(shù)：

　?。?）無籽晶鑄錠。無籽晶引導(dǎo)鑄錠工藝對晶核初期成長控制過程要求很高。一種方法是使用底部開槽的坩堝。這種方式的要點是精密控制定向凝固時的溫度梯度和晶體生長速度來提高多晶晶粒的尺寸大小，槽的尺寸以及冷卻速度決定了晶粒的尺寸，凹槽有助于增大晶粒。因為需要控制的參數(shù)太多，無籽晶鑄錠工藝顯得尤為困難。其要點是精密控制定向凝固時的溫度梯度和晶體生長速度來提高多晶晶粒的尺寸大小，形成所謂的準單晶。這種準單晶硅片的晶界數(shù)量遠小于普通的多晶硅片。無籽晶的單晶鑄錠技術(shù)難點在于控溫。

       （2）有籽晶鑄錠。當下量產(chǎn)的準單晶技術(shù)大部分為有籽晶鑄錠。這種技術(shù)先把籽晶、硅料摻雜元素放置在坩堝中，籽晶一般位于坩堝底部，再加熱融化硅料，并保持籽晶不被完全融掉，最后控制降溫，調(diào)節(jié)固液相的溫度梯度，確保單晶從籽晶位置開始生長。這種技術(shù)的難點在于確保在熔化硅料階段，籽晶不被完全融化，還有控制好溫度梯度的分布，這個是提高晶體生長速度和晶體質(zhì)量的關(guān)鍵。

準單晶產(chǎn)品的優(yōu)勢

1.轉(zhuǎn)換效率高于普通多晶，接近直拉單晶電池片。

2.與普通多晶電池片相比 LID 基本無變化，性能穩(wěn)定。

3.比起普通多晶，組件功率提升明顯，單位成本降低。

4.可封裝 250 瓦（60 片排布），或 300 瓦（72 片排布）的大組件。

5.適用于對安裝面積有限制要求的特殊場合。單晶硅電池雖然具備晶體缺陷少、織結(jié)構(gòu)工藝下 反射率低、機械強度高等優(yōu)勢，但其成本較高、光衰嚴重、電耗也高。多晶硅電池較單晶硅電池相比能耗少、衰減低、成本低，不過轉(zhuǎn)換效率較差。